儀器簡介

SEM形貌分析設備

性能指標

分辨率：1.3nm (20 KV) ；加速電壓：0.02-30KV ；探針電流：4 pA-20 nA ；放大倍數：10-1000 000X

應用范圍

場發射掃描電子顯微鏡，SIGMA HD配有in-lens二次電子探測器的GEMINI鏡筒，樣品室二次電子探測器、背散射電子探測器和CCD攝像機等四種類型的探測器，樣品臺為五軸全自動控制，能夠提供出色的分辨率和亮度，適用于樣品形貌的清晰成像。具有高真空和可變壓力模式，實現了分析型場發射掃描電鏡的高清晰成像，并能夠在低加速電壓下（750V-3kV）和低探針電流下對樣品成像。

工藝圖：