通過旋涂的方式在基片上涂覆所需的光刻膠膜，通過調節(jié)轉速達到精準控制膠膜厚度。適合各種黏度的正性及負性光刻膠的涂覆，最高轉速可達到10000 rpm，自動滴膠裝置，自動程序運行，膠厚控制精準。

主要技術指標：

膜厚均勻性：

±3%（6"wafer）；

基片尺寸：

5mm*5mm～ 100mm*100mm chip ，Φ2"～Φ6"wafer；