Si片上形成具有垂直側(cè)壁的高深寬比溝槽結(jié)構(gòu)是制備先進(jìn)MEMS器件的關(guān)鍵工藝，其各向異性刻蝕要求非常嚴(yán)格。深硅刻蝕工藝即為BOSCH工藝，刻蝕過(guò)程中，被刻蝕部分的聚合物保護(hù)層會(huì)完全除掉。除掉底部保護(hù)層后，對(duì)保護(hù)層下的硅材料進(jìn)行刻蝕，而側(cè)壁的保護(hù)層由于離子刻蝕的方向性，刻蝕速度低而不會(huì)被去除。隨后重復(fù)鈍化步驟，導(dǎo)致刻蝕持續(xù)在垂直方向進(jìn)行。