可進行動態及靜態顯影，適用于正性光刻膠、負性光刻膠及非感光性光刻膠，自動程序運行，可編程。
主要技術指標：
顯影均勻性：
±3%以內；
顯影分辨率：
0.6um；
基片尺寸：
Φ2" ~ Φ6" wafer ；
